紫外光刻胶（Photoresist）

光刻胶性能优异，种类繁多，满足不同工艺的多样性要求 • 包装规格灵活多样 (30ml, 100ml, 250ml, 500ml, 1L, 2.5L 等 )，适合多种规模的科研 / 生产需求

AZ 光刻胶选型系列

光刻胶性能优异，种类繁多，满足不同工艺的多样性要求

特殊工艺用光刻胶

光刻胶性能优异，种类繁多，满足不同工艺的多样性要求

电子束光刻胶 （e-beam resist）

光刻胶产品种类齐全，可以满足用户的各种个性化需求。

SOI绝缘硅片

代理英国ICEMOSTECH的高品质SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。

硅外延片

硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。

铌酸锂(LiNbO₃)

公司可以提供不同规格型号及衬底方案的铌酸锂单晶薄膜（LNOI）和钽酸锂单晶薄膜（LTOI），根据客户的特殊需求，可以提供定制化解决方案。

钽酸锂(LiTaO₃)

公司可以提供不同规格型号及衬底方案的铌酸锂单晶薄膜（LNOI）和钽酸锂单晶薄膜（LTOI），根据客户的特殊需求，可以提供定制化解决方案。

铝钪氮(AI-Sc-N)

公司可以提供不同规格型号及衬底方案的铌酸锂单晶薄膜（LNOI）和钽酸锂单晶薄膜（LTOI），根据客户的特殊需求，可以提供定制化解决方案。

氮化铝(AIN)

公司可以提供不同规格型号及衬底方案的铌酸锂单晶薄膜（LNOI）和钽酸锂单晶薄膜（LTOI），根据客户的特殊需求，可以提供定制化解决方案。