产品介绍

进口SU-8光刻胶系列，克服了普通光刻胶采用UV光刻深宽比不足的问题，在近紫外光（360nm-400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有侧壁和高深宽比的厚膜图形。

SU-8光刻胶光刻工艺

将SU-8光刻胶组分旋涂在基材上，旋涂厚度几至几百微米，涂覆晶圆片经过前烘并冷却至室温，在烘干过程中，优先选择加热均匀且温度控制

精确的加热板；不能使用鼓风干燥箱，防止因为光刻胶表面优先固话从而阻止内层光刻胶溶剂的挥发，冷却后，将负光掩模与涂覆晶片接触并在汞灯的

紫外辐射剂量10-250mJ/cm²条件下进行曝光，曝光结束后，选择适合的烘烤温度及时间，将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。

SU-8光刻胶的优点

1. SU-8光刻胶在近紫外光（356nm-400nm）范围内光吸收度很低，且整个光刻胶       层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形

2. SU-8光刻胶具有良好的力学性能，抗化学腐蚀性和热稳定性

3. SU-8光刻胶在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形

4. SU-8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用

由于具有较多有点，SU-8胶正被逐渐应用于MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为

微加工领域的一项新技术，在微流控芯片加工中，SU-8主要应用于快速模塑法加工PDMS微流芯片