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IGBT選型時的幾點注意事項

對于給定的開關速度, NPT 技術通常比PT 技術具有較高的VCE(on)。這種差異被進一步放大,因為NPT的VCE(on)隨著溫度的升高而升高(正溫度系數) ,而PT 的VCE(on)隨溫度的升高而降低(負溫度系數) 。然而,對于任何的IGBT,無論是PT 或NPT,開關損耗都是以VCE(on)作為代價的。更高速度的IGBT 具有較高的VCE(on);較低速度的IGBT具有較低的VCE(on)。事實上,它可能是一個非常快的PT 裝置擁有較高的VCE(on),相反,NPT裝置的開關速度則較慢。

標簽: IGBT
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