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【DIY大賽】+反激+單級PFC超低紋波超低THD
閱讀: 9035 |  回復: 62 樓層直達

2018/10/31 19:13:38
1
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

QQ截圖20160321155901  【活動進行中……】禮遇感恩節!參與頂樓  免費送儀器

QQ截圖20160321155901   【風采匯】參與有獎!獲獎作品分享大賽



前段時間由于個人原因,很久沒更新帖子,深表愧疚。

之前的帖子收到了很多網友的留言,我會一一回復大家。

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由于時間關系,本文就做一款簡單的“60W-無頻閃-單級PFC-反激恒流電源”來跟大家(指初學者,高手就不用看了)一起從入門走向精通。

⊙名稱:60W-無頻閃-單級PFC-反激恒流電源

⊙架構:反激/原邊反饋

⊙工作模式:斷續模式(為了提高THD

⊙輸入電壓:100300V AC

⊙輸出參數:36V_1500mA DC

⊙符合標準:CE3CUL

PF>0.9 @230VAC

THD:全電壓范圍內小于8%

⊙效率:>89%@230V

⊙輸出紋波電流:<3%

⊙頻閃:相機拍攝無水波紋

⊙浪涌電壓: 3.0KV

⊙保護:開路保護、短路保護

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反激電源簡化原理圖

 


 

 

           簡化圖

反激名稱由來:

  輸出端在原邊繞組斷開電源時獲得能量故而得名。

反激電源原理:

      當原邊開關管導通時(Ton)時,變壓器初級(Np)有電流(Ip,并將能量儲存于其中。由于NpNs極性相反,此時次級二極管D反向偏壓而截止,無能量傳送到負載。當開關關斷(Toff)時,變壓器原邊繞組將產生一反向電勢,此時次級二極管D正向導通,負載有電流流通。

什么是原邊反饋:

  顧名思義,原邊反饋就是通過初級側來做檢測,實現恒壓或者橫流。有的需要在初級側加一個輔組繞組來做檢測。有的不需要,比如把初級MOS驅動做成源極驅動(柵極驅動稍微麻煩一點),這樣一來可以通過MOS的結電容耦合退磁信息,來實現退磁時間檢測或者電壓檢測。反之,次級反饋,就是通過光耦來檢測次級信息,實現恒壓橫流控制。  


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電源網-54W_1500mA-Surge3.0KV-PCB文件.rar

電源網-54W_1500mA-Surge3.0KV-原理圖.rar

2018/11/01 09:04:12
2
weixiu123
電源幣:414 | 積分:1 主題帖:0 | 回復帖:286
LV6
團長
支持一個
2018/11/26 22:49:49
36
喔喔嗚嗚
電源幣:18 | 積分:4 主題帖:6 | 回復帖:12
LV3
排長
2018/11/01 09:14:05
3
電源網-璐璐
電源幣:1092 | 積分:86 主題帖:295 | 回復帖:1519
LV10
司令
坐等更新~
2018/11/01 23:20:05
6
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長
彤彤小·姐姐,一個回帖可最多以寫多少字來著?
2018/11/01 11:13:43
4
ymyangyong[版主]
電源幣:2077 | 積分:472 主題帖:5 | 回復帖:6252
LV12
元帥
頂貼
2018/11/01 21:43:04
5
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長
元帥好
2018/11/02 00:15:00
7
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

深夜睡不著,起來更貼。。。。

上原理圖:

1

下面分別介紹各個部分的作用

2

↑↑上圖紅框部分:

L/N為交流輸入端。

保險絲采用4.7R的繞線電阻,繞線電阻抗浪涌能力強,并且它是電阻絲繞制,會存在較大的寄生電感,可以吸收浪涌。

L2CX1分別為共模電感,安規電容。

再往上就是橋堆了。


3

↑↑上圖紅框部分:

R1,R2為啟動電阻,上點初期,通過兩個電阻給VDD電容充電,達到芯片啟動電壓后,DRV腳開始輸出PWM信號


4

↑↑↑上圖紅框部分:

C1,L1,C2組成了π型濾波器,濾掉高頻噪聲,電磁兼容有這個要求,一般歐洲執行標準為EN55015

RZ1RZ2為壓敏電阻,一個放在橋前,一個放在橋后的工字電感后。浪涌為一個瞬態高壓脈沖,電阻、電容、電感都對其都有吸收效果,再加上兩個直徑10mm壓敏,吸收3KV尖峰穩穩當當。


↑↑↑上圖紅框部分:

框中部分為變壓器,這個變壓器一共3個繞組,分別為

1.初級繞組

2.輔組繞組

3.次級繞組

開關管導通時,變壓器開始儲能,輔組繞組和次級繞組的二極管均反向截止。開光管關斷時,輔組繞組耳機導通,通過D2VDD電容充電,維持芯片所需的能量。同時次級二極管也導通,將能量傳遞至負載


↑↑↑上圖紅框部分:

R5為上拉電阻

R6為下拉電阻

在開關管關斷期間,變壓器退磁,在R6(芯片DSEN腳)上產生一個方波,芯片內部檢測方波頂端電壓,以實現檢測次級電壓,實現空載保護(這是橫流模式,所以空載時輸出電壓會很高,需要做限制)。

另一方面,退磁結束之后變壓器開始震蕩,此時R6上電壓迅速跌落,芯片檢測此跌落電壓,就可以得到退磁結束的時間。如下圖所示:


                   斷續模式

                    臨界模式

斷續模式(DCM)在退磁結束之后會出現幾個振鈴,而臨界模式(CRM,也稱準諧振模式)在退磁結束之后開關管會馬上打開。




↑↑↑上圖紅框部分:

R3,R4為驅動MOS的限流電阻,柵極電阻的作用:

1、消除柵極振蕩

絕緣柵器件(IGBTMOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結構,柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。

2. 轉移驅動器的功率損耗

電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。

3. 調節功率開關器件的通斷速度

柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗小;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率大大提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統籌兼顧。

柵極電阻功率的計算:

柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。

MOS柵極驅動功率PFUQ,其中: F為工作頻率;

U為驅動輸出電壓的峰峰值;

Q為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。


R9并聯再MOS柵極和源極之間,這個電阻一般取10-100K,防止在未接驅動引線的情況下,或者受到靜電干擾,偶然加高壓,誤導通而燒毀MOS


↑↑↑上圖紅框部分:

  這里就是RDC吸收部分了,MOS關斷后,即退磁期間,變壓器3腳對地會產生一個很高的電壓尖峰,這個電壓尖峰加在MOS管上如果超出MOS耐壓,則會燒壞MOS,二來,會產生很強的電磁干擾。一般電容取1-3.3nF,電阻取幾百K,二極管一般選慢恢復的,下面跟大家分享一下我以前收藏的:“普通二極管與快恢復二極管的振鈴吸收特性對比”

  、分別測量兩個電源的振鈴吸收電路中電容上的電壓波形

1 號電源模塊的振鈴吸收電路由RS1M 快恢復二極管、1000v1000p 瓷片電容和200k 貼片電阻組成,下圖是1 號電源的振鈴吸收電路和示波器接入方法(示波器的地線接整流濾波后的正極,探頭接吸收電路的中間;如果示波器的地線接電源負極,則測得的電壓增加300 V,測量精度也下降不少)


測得電壓波形如下


場管截斷前,電容上的電壓高于電源電壓約99v,當場管截斷時,振鈴電壓會將1000pF 電容充電到約142v,也就是電容上的電壓上升約43v,但該電壓在波峰后的192ns 時間內下降約33v 到約109v,然后間歇期放電到約99v,迎接下一個振鈴波峰的到來。電容上電壓快速下降的原因肯定是快速放電,而快速放電只能通過快恢復二極管RS1M,也就是說,雖然是快恢復二極管,但也存在反應時間(查資料得RS1M 的最大恢復時間為0.5μs),在本次測量中,是在192ns 時間內,二極管PN 結內的載流子尚未消失,所以可以反向導電,將波峰時給電容充的電釋放約3/4,因為此時的釋放,初級是回路的一部分,此時初級回路加反向電流,其感應是增大了次級正向電流,所以這3/4 是被電路回收利用了的,另外的1/4 在間歇期釋放,這部分是損耗。這個電源電路的工作頻率約63kHz,周期約16μs,振鈴脈沖占不到1μs,也就是在約15μs 的時間,1000pF電容放電約9.5v,在平均電壓約104v 下,200k 電阻可以將1000pF 電容放電104v/200k*15μs/1000pF=7.8v,實測是下降約10v,相差的約2v 可考慮為快恢復二極管的結電容影響以及測量誤差。從這幾個數值也可以求出振鈴吸收電路中電阻消耗的功率,電阻上的平均電壓為104v,消耗功率P=104*104/200000=0.054w,電容上另有約0.012w 的功率通過PN 結電容釋放,這部分主要在開關管上損耗。

2 號電源的振鈴吸收電路是普通整流二極管M71000v 1000p 瓷片電容和150k 貼片電阻組成,吸收電路電容上的電壓波形如下


2 號電源的頻率約48kHz,周期約21μs,可見由于周期更長,電阻更小,電容上的電壓下降更多,約15v,同時,由于第一個振鈴波峰過去后,振鈴波谷時電容上電壓下降較多,出現了較為明顯的第二個振鈴波峰。

二、拆除振鈴吸收電路的電阻

以前見過有的電路上的振鈴吸收電路只有二極管和電容,也見過某廠家在網上宣稱他們的振鈴吸收電路無損耗但沒公開電路,懷疑是不是就是不用電阻,為了試試能不能完全依靠二極管恢復期間的反向電流來對電容進行放電,把電路中的電阻拆除測試,發現電容的電壓被充得很高,幾乎沒有波動,而IC 的輸出端振鈴電壓高達184v,波形如下



三、將振鈴吸收電路的電阻增大

1 號電源的200k 電阻換成510k,測得振鈴吸收電路電容上的電壓波形如下,可見電容上的電壓提高不少,振鈴電壓也提高約6v,振鈴前后的電壓差也減小約4v,可見振鈴吸收電路的效果減小,損耗也減小


將2 號電源的150k 電阻換成510k,振鈴吸收電路電容上的電壓波形如下。換電阻前,振鈴脈沖最高電壓約112v,但捕捉到的112v 脈沖極少,捕捉到的高值以111v 為主,換電阻后,振鈴脈沖最高電壓仍為112v,捕捉到的112v 脈沖較多,也就是說,把150k 電阻換成510k 后,振鈴電壓提高大約1v,而振鈴前的電壓由約68v(最低67v)提高到了約76v,電壓差由約15v 下降到約6v。可見,適當增大電阻后,振鈴波峰并沒有明顯上升,但損耗明顯下降。第二個振鈴波峰明顯減小,但仍明顯,應該可以將電阻再適當增大。



四、更換1 號電源振鈴吸收電路的二極管

將 1 號電源振鈴吸收電路的快恢復二極管RS1M 換成普通整流二極管1N4007(參數同M7),振鈴峰值約140v,比原電路下降近2v,振鈴前后的電壓差約5v,比原來減少一半,也就是損耗下降約一半。在平均電壓約99v 下,510k電阻可以將1000pF 電容放電99v/510k*15 μ s/1000pF=2.9v, 消耗功率為99v*99v/510kΩ=0.019w,實測是下降約5.2v,應該是二極管PN 結電容放電的結果,損耗約0.015w。

實際設計中,電阻的選擇應使振鈴脈沖前后電容的電壓盡量接近次級工作時開關管的漏極(或集電極)電壓,若振鈴前的電壓較低,則應增大電阻以減小損耗,若電壓較高,應減小電阻以降低電壓,降低脈沖電壓。



五、小結

本次實驗可以得到三個結論:

1、振鈴吸收電路是不能省略電阻的;

2、普通整流二極管用于振鈴吸收電路效果比快恢復二極管好;

3、適當增大振鈴吸收電路的電阻可以在不明顯影響振鈴吸收的前提下減小損耗。





2018/11/02 16:41:20
8
lihui710884923
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LV9
軍長
快結束了,怎么也不更新帖子啊
2018/11/02 17:16:57
9
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

師長,我是31號才開貼的,給我留點時間哇

2018/11/07 10:17:54
13
lihui710884923
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LV9
軍長
那這個時間是非常緊湊啊
2018/11/09 17:28:35
14
lihui710884923
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LV9
軍長
設計時怎么考慮這個模式呢
2018/11/14 15:30:19
18
lihui710884923
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LV9
軍長
壓敏放在工字電感后面好嗎??
2018/11/22 09:03:15
22
朝陽之星
電源幣:179 | 積分:15 主題帖:11 | 回復帖:262
LV7
旅長
RZ2的主要作用是為了過雷擊用的 ,所以放在工字前后關系都不是很大。
2018/11/22 12:55:47
23
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

壓敏放在工字電感之后,優于工字電感之前;

浪涌尖峰到來時,壓敏瞬間導通,電感放在前面對浪涌有抑制作用,效果非常明顯;

我測試過,相同的元器件參數的情況下,放在工字電感之后浪涌電壓可以打得更高。

2018/11/26 09:10:37
31
霸唱
電源幣:0 | 積分:3 主題帖:2 | 回復帖:20
LV3
排長
這個帖子蠻適合新手學習的   講得也比較詳細  不過難點其實是EMC調試  這個你沒寫出來  有點遺憾  另外圖畫的不錯  
2018/11/05 11:27:27
10
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長


↑↑↑上圖紅框部分:

兩個Y電容,為高頻干擾提供泄放回路

前段時間有個新聞:一女子手機在充電,自動定了個萬元套房。

后來查證為充電器劣質,變壓器初次級沒有Y電容,高頻噪聲影響了電容屏的檢測,導致連續誤操作。

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下面講講這個電路工作原理:

(1) 工作模式:DCM模式,以實現THD<8%

MOS管的關斷時間Toff受反饋環路(即COMP腳電壓)控制,Vcomp越高,Ton越大,二者是正比關系,一旦Toff確定,它將不隨交流輸入電壓相位角變化;

在外部MOS 管的導通時間內,原邊電流會從0mA線性增加到峰值,該電流通過感應電阻由CS 腳檢測。當原邊電流達到閥值極限,MT7932 會立即關閉MOS 管。當副邊電流耗盡時,會再次開啟MOS 管。峰值電流的閥值會跟蹤整流后的母線電壓的正弦波形。因此,電感電流的包絡也是正弦波形,因而可實現高功率因數。

2)恒流原理: 芯片CS腳檢測變壓器初級線圈的峰值電流,DSEN腳檢測變壓器(次級線圈)的退磁時間,通過內部運算電路,實時地檢測出輸出電流,然后經過COMP腳電容進行平均運算,將這一信號與芯片內部的參考電壓(Vfb=0.40V)比較,并由此確定Toff。因此,整個電源工作在負反饋系統中,芯片能夠準確控制輸出電流的大小。

(3) 一致性:輸出電流只與芯片內部基準Vfb (400mV)、采樣電阻Rs相關,無論輸入電壓、輸出電壓、變壓器的Lp發生任何變化,芯片都可以調整MOS管導通時間Ton,保證輸出電流不變,批量生產一致性好;

(4) 開關頻率:芯片的Ton由反饋環路決定,Toff由變壓器次級線圈的退磁時間決定,

因此工作頻率并不固定。總體來講,頻率范圍是(40Khz -- 150Khz)。

  (5)過壓保護:DSEN 腳電壓高于3.2V 且發生三次,則被判定為輸出開路。芯片將關閉 PWM 開關信號,VDD 電壓逐漸降至UVLO 閾值,并進入重啟模式。

  (6)短路保護:如果DSEN 腳電壓在關斷時間內低于400mV,并持續5~10 毫秒,則開啟短路保護功能。PWM 驅動信號將停止。當VDD 電壓逐漸降至低于UVLO 閾值時,系統將進入重啟模式。 上述重啟過程將一直重復,直到短路消除。

  (7)過流保護:一旦CS 腳電壓超過2.0VMT7932 將立即關斷功率MOS 管。這種逐周期過流檢測的方式保護了相關的元件免于損壞,如功率MOS 管,變壓器等等。


  變壓器的計算:

輸入電壓、電流均為正玄波,所以變壓器需要積分半個工頻周期能量來計算,公式較為復雜,在這里就不詳細說了,我這里有設計工具,有興趣的朋友可以跟我要。


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↑↑↑PCB圖,元器件不多,用的單面板。

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線性調整率、效率、PFTHD



  負載調整率:




  EMI測試:



  

  短路測試

110Vac/230Vac 輸入,輸出接36V LED,在下列情況下:

先短路輸出端,再給電源板通電;

先給電源板通電,再短路輸出端;

測試結果:電源板沒有元器件損壞,此時輸入平均功率小于0.5W

取消短路狀態,電源板可以恢復正常工作。


  開路測試

110Vac/230Vac 輸入,輸出接36V LED,以下兩種情況下:

先讓電源板正常工作,然后斷開輸出負載;

先讓負載開路,再給電源板通電;

測試結果:電源板沒有元器件損壞,此時輸入平均功率小于0.5W,輸出電壓小于49V

取消開路狀態,電源板可以恢復正常工作。






2018/11/13 10:19:13
16
mzwr963852
電源幣:689 | 積分:0 主題帖:4 | 回復帖:31
LV3
排長

消除頻閃是怎么做到的?

2018/11/13 17:35:03
17
lihui710884923
電源幣:482 | 積分:1 主題帖:155 | 回復帖:520
LV9
軍長
調節環路應該就可以
2018/11/28 16:56:06
39
charles.cha88
電源幣:0 | 積分:0 主題帖:1 | 回復帖:28
LV3
排長

看了下面打臉了吧!

2018/11/28 19:34:20
40
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長
上面那句話不是我說的
2018/11/29 08:07:17
41
frank99
電源幣:0 | 積分:4 主題帖:5 | 回復帖:23
LV4
連長
后級好像有一顆去紋波IC
2018/12/24 08:42:30
45
h568560241
電源幣:107 | 積分:4 主題帖:7 | 回復帖:23
LV3
排長
輸入端一個共模能過EMC,看你的EMC測試報告,這個內部模擬是能過,拿去機構測試傳導100%過不了。實話實說,別介意啊,兄弟反激部分確實講的很好
2018/12/24 11:09:47
46
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

技術探討,有想法都可以隨意發表,沒關系

EMI分傳導和輻射,而輻射測試方法又分:空間輻射和CDN模擬兩種,兩種方式都被認證機構認可。

一般只要設備定期檢驗,傳導基本可以保持跟認證機構數據一致。

輻射我用的是CDN模擬測法,跟空間輻射測法數據相差多大,要看這個產品的結構,比如金屬外殼?

話說,你說100%過不了?又是如何分析的?有什么理論依據將來聽聽

好歹我這是TUV目擊實驗室,你也不問問具體情況,就說個100%,未免太潦草,我有點不服啊

歡迎來反駁。。。

2018/11/05 11:27:49
11
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

板子實物圖:

旁邊的小板做什么的?這是一個簡易去紋波電路,由于時間關系,沒有整合到一塊線路板上。

只調試環路來實現紋波低于3%,在這種單級PFC線路上是絕對不可能實現的(有不服的請拿出實物及測試報告來反駁),

在饅頭波接近谷底時,母線電壓很低,要想在此時維持波峰相同的能量輸出,那此時輸入電流必然增加而導致畸變,

電流畸變會導致PF降低,隨之THD就不能保證小于8%。

單級PFC紋波要低于20%的話,還是比較好調的。





輸出紋波測試,實際紋波約為2.8%


電源網-54W_1500mA-Surge3.0KV-PCB文件.rar

電源網-54W_1500mA-Surge3.0KV-原理圖.rar

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結帖

2018/11/06 11:29:02
12
xiaojb11
電源幣:50 | 積分:11 主題帖:2 | 回復帖:86
LV4
連長
關注一下,單極PFC超低紋波電流還是很期待的
2018/11/10 15:48:50
15
三劍客歸來
電源幣:0 | 積分:1 主題帖:4 | 回復帖:30
LV3
排長
“反激橫流電源”···老板是不是寫錯了?應該是恒流吧
2018/11/17 17:02:05
19
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長
感謝老鐵指正,已經改好了
2018/11/22 09:00:40
21
朝陽之星
電源幣:179 | 積分:15 主題帖:11 | 回復帖:262
LV7
旅長
后面的小板是防止頻閃的吧
2018/11/22 13:15:00
25
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長
是的去紋波電路
2018/11/22 13:38:17
26
gaohq
電源幣:65 | 積分:5 主題帖:51 | 回復帖:482
LV8
師長

去頻閃電路的電路圖呢?

2018/11/22 14:12:05
27
20年前[版主]
電源幣:102 | 積分:27 主題帖:26 | 回復帖:33
LV6
團長

那再補充一點吧,去紋波有兩種方式:

1.用帶控制器驅動MOS:優點可以實現自適應,比如有些需要調光的產品,通過檢測MOS源極電阻上的電壓,就可以實現自適應了。缺點太貴。

2.分立元器件:優點成本低,是需要三顆元器件,缺點就是自適應差。

 

 

上圖就是帶控制器的去紋波電路,芯片CS腳采樣紋波電流,內部積分處理后轉換成一個電壓落在芯片三腳,根據電壓高低調整DRV腳電壓,實現自適應去紋波

在這轉換之間會有一點延遲,但是一般紋波頻率都很低,100Hz,周期時間長,所以沒有關系。

芯片第6腳,只做短路保護用。

 

 

這就是分立器件的去文波電路了。

 

2018/11/23 08:47:11
28
gaohq
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LV8
師長

這里的管子當可變電阻用是吧?

2018/11/23 15:27:11
29
frank99
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LV4
連長
樓主,去紋波帶調光的芯片可靠的有那些可以推薦
2018/12/23 21:32:08
42
46698
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LV1
士兵
1.5A電流,用這種去紋波電路,估計吸收紋波的MOS管熱得飛起。要想降低溫度,要么加散熱片,要么加大前面的濾波電容,要么換內阻更低的MOS管。
2018/12/24 08:23:22
44
h568560241
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LV3
排長
說的很對,兄弟,他這個去頻閃電路設計是有缺陷。前面反激講的倒是不錯挺全面的
2018/12/24 11:31:01
47
20年前[版主]
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LV6
團長


加大電解來降低紋波,效果是有限的,當電解容量大到一定的程度后,再繼續加大容量所降低紋波的效果會逐漸減弱

那么容量取多大最為合理呢?在此處我實驗為每毫安1uF最為合適。

關于MOS的內阻,此處用的是低壓MOS,幾十伏就可以了,可見跟高壓MOS相比內阻有多小。

此版效率約損耗2-3%,大致可以算出損耗的功率。

歡迎網友提出不同意見,大家探討探討也是蠻好的,可以使咱們電源網越來越活躍。。。。。

但,我不接受任何沒有實驗數據、沒有理論依據的反駁!比如說:有個產品經理要求工程師做一款隨著手機外殼而改變顏色的APP。。。

2019/03/24 04:02:53
59
av-rgb
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LV6
團長

你這個mos高壓、低壓功耗都一樣,因為工作在模擬狀態。

54w1.5a損失效率2-3%熱量2w左右吧,好在mos沒有工作在脈沖電路中,不容易損壞。

2019/03/25 16:56:55
60
20年前[版主]
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LV6
團長
低壓MOS,同樣的封裝,RDS_on更小
2019/03/25 20:56:19
61
av-rgb
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LV6
團長
不要一概而論,去波紋工作在模擬狀態。
2018/11/21 17:19:16
20
guinan1688
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LV5
營長
版主寫的不錯,給你點贊
2018/11/22 13:13:32
24
20年前[版主]
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LV6
團長
加油,下次更好
2018/11/25 13:28:19
30
zhou2013
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LV5
營長
輸出紋波怎么測試的呀?用電壓探頭還是電流探頭?輸出電壓紋波和電流紋波一般要低于多少的?非常感謝樓主怎么好的貼
2018/11/26 14:26:56
33
20年前[版主]
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LV6
團長

測試電流就用電流探頭,電壓就用電壓探頭。

紋波多少看應用環境、應用地區、和客戶要求,沒有絕對答案。

2018/12/25 14:10:53
49
離遇
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LV1
士兵

輸出電壓紋波和輸出電流紋波一般情況下是輸出電壓電流的5%之內(做的好的話)

2019/01/30 14:51:26
57
20年前[版主]
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LV6
團長
其實這個沒啥做得好不好之說,就看成本,成本稍微提高一點,就可以做了。沒有很深入的東西
2018/11/26 12:31:39
32
jiangjunxin
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LV2
班長
樓主你用的是什么芯片
2018/11/26 14:29:05
34
20年前[版主]
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LV6
團長
不要意思,不打廣告,型號不便告知,我這做了很多個,想要的話買給你
2018/11/26 21:27:58
35
aa8239923
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LV3
排長
老師您好,我是初學者,想做一板你的電源學習學習,想要份變壓器的設計參數,能發份資料給我嗎?萬分感謝![email protected]
2018/11/27 10:46:15
37
jiangjunxin
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LV2
班長

樓主你上傳的PCB文件跟實物圖是同一個板子嗎?

感覺好像不一樣呀

2018/11/27 17:12:04
38
20年前[版主]
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LV6
團長

打樣來不及了,用的另外一個板子搭建測試的,板子尺寸長5mm,其他都一樣的

2018/12/24 08:19:39
43
h568560241
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LV3
排長
樓主,讓我猜一下,你是美芯晟的FAE吧
2018/12/24 11:37:11
48
20年前[版主]
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LV6
團長
不知道你說的啥,只是單純的熱情
2018/12/25 14:12:35
50
離遇
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LV1
士兵

我猜是艾瓦特的FAE

2018/12/26 16:20:01
51
20年前[版主]
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LV6
團長
其實我是劉強東,你們可以叫我強哥
2018/12/27 10:15:34
52
frank99
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LV4
連長
兄弟,你是清白的
2018/12/27 16:47:39
53
20年前[版主]
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LV6
團長

在此,我代表JD所有員工,表示感謝,感謝對我的信任與關懷

記得常來買東西啊。。。。

2019/04/02 02:35:05
62
av-rgb
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LV6
團長

mt7933,新型號,mt7990我用過不少,主要是帶恒壓,不知道這個7933比7930和7990優點在哪里。

2019/01/23 22:19:06
54
江門普銳
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LV4
連長

   你好,沒有能能哪里看出你這個能是低紋波的LED電源,

沒有什么特別的吧,最常規的。

2019/01/24 10:37:30
55
zhengjiashiajianqz
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LV2
班長
原理分析透徹,通俗易懂,好帖子
2019/01/30 14:49:08
56
20年前[版主]
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LV6
團長

從題目就可以看出是個普通電源,反激的,沒什么高科技

關于紋波:請仔細看,有測試紋波電流波形,實際紋波電流2.8%

2019/02/10 10:44:39
58
唐軍_2019
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LV1
士兵
學習一下,新人膜拜
2019/05/20 20:43:22
63
houjc518
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LV1
士兵
版主你好,我想要一份你這個變壓器的計算資料,方便的話發一份到我郵箱,[email protected]謝謝。
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